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최종편집2022-09-23 19:01 (금) 기사제보 구독신청
“TSMC보다 앞선 기술력” 삼성전자, 세계 최초 ‘3나노 반도체’ 출하
“TSMC보다 앞선 기술력” 삼성전자, 세계 최초 ‘3나노 반도체’ 출하
  • 장진혁 기자
  • 승인 2022.07.25 15:29
  • 댓글 0
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고성능 컴퓨팅 첫 적용 이어 모바일 시스템온칩 제품 등에 확대 예정
경계현 대표 “파운드리 사업에 한 획…무에서 유 창조한 혁신적 결과”
삼성전자
왼쪽부터 경계현 삼성전자 DS부문장 대표이사(사장), 이창양 산업통상자원부 장관, 최시영 삼성전자 파운드리사업부 사장이 25일 경기도 화성캠퍼스에서 열린 3나노 파운드리 제품 출하식에서 기념촬영을 하고 있다.<삼성전자>

[인사이트코리아=장진혁 기자] 삼성전자가 세계 최초로 3나노(1㎚는 10억분의 1m) 공정 기술을 기반으로 생산한 파운드리(반도체 위탁생산) 제품을 출하했다. 파운드리 1위 업체인 대만 TSMC보다 앞선 기술력으로 글로벌 무대에서 TSMC를 뛰어넘을 발판을 마련했다는 평가가 나온다.

삼성전자는 25일 경기도 화성캠퍼스 내 극자외선(EUV) 전용 V1라인에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다. 이날 행사에는 경계현 삼성전자 DS부문장 대표이사(사장)와 이창양 산업통상자원부 장관, 협력사·팹리스·삼성전자 임직원 등 100여명이 참석했다.

삼성전자 파운드리사업부는 “혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나아가겠습니다”라는 자신감과 함께 3나노 GAA 공정 양산과 선제적인 파운드리 기술로 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다는 포부를 밝혔다.

정기태 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장(부사장)은 기술 개발 경과보고를 통해 파운드리사업부, 반도체연구소, 글로벌 제조&인프라 총괄 등 사업부를 넘어선 협업으로 기술개발 한계를 극복한 점을 강조하는 등 개발에서부터 양산에 이르기까지의 과정을 설명했다.

경계현 삼성전자 DS부문장 대표이사(사장)는 “삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다”며 “핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과”라고 말했다.

이창양 산업통상자원부 장관은 축사에서 삼성전자 임직원과 반도체 산업계의 노고에 감사를 표했다. 이 장관은 “치열한 미세공정 경쟁에서 앞서기 위해 삼성전자와 시스템반도체 업계, 소부장 업계가 힘을 모아달라”며 “정부도 지난주 발표한 ‘반도체 초강대국 달성전략’을 바탕으로 민간 투자 지원, 인력 양성, 기술 개발, 소부장 생태계 구축에 전폭적인 노력을 아끼지 않을 것”이라고 강조했다.

삼성전자는 GAA 트랜지스터 구조 연구를 2000년대 초부터 시작했으며, 2017년부터 3나노 공정에 본격 적용해 지난달 세계 최초로 GAA 기술이 적용된 3나노 공정 양산을 발표했다. 3나노 GAA 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 처음으로 적용하고, 주요 고객들과 모바일 시스템온칩(SoC) 제품 등 다양한 제품군에 확대 적용을 위해 협력하고 있다. 화성캠퍼스에서 3나노 GAA 파운드리 공정 제품 양산을 시작했으며, 향후 평택캠퍼스까지 확대할 예정이다.

삼성전자는 메모리 분야에서 기술 우위를 유지하는 동시에 시스템반도체 분야에서 경쟁력을 확보함으로써 반도체 산업 전반에서 리더십을 공고히 한다는 전략이다. 메모리반도체에서는 글로벌 시장을 지배하고 있지만, 파운드리 분야에서는 후발업체로 대만 TSMC를 맹렬히 추격하고 있다. 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 1분기 기준 세계 파운드리 시장 점유율은 TSMC가 53.6%로 1위, 삼성전자가 16.3%로 2위였다.

삼성전자가 3나노 양산에 한발 앞서 나가면서 향후 점유율 향방도 달라질 것으로 관측된다. TSMC는 올해 하반기 중 3나노 반도체 양산을 시작하고, GAA 기술은 2나노 공정부터 적용할 계획인 것으로 알려졌는데, 그동안 삼성전자가 시장을 선점할 수 있기 때문이다.

인사이트코리아, INSIGHTKOREA


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