승승장구하던 반도체 업계는 지난해 미·중 무역분쟁·일본 수출규제 등 불확실한 대내외 환경과 업황 부진이 겹치면서 다소 우울한 한해를 보냈다. 하지만 새해 들어 분위기가 달라졌다. 지정학적 리스크에도 반도체 대장주들의 실적은 흔들림이 없을 것이라는 전망이 우세하면서 분위기가 빠르게 살아나고 있는 중이다.

1년 전 경영 바통을 잡은 이석희 SK하이닉스 사장은 지난 한해를 흔들림없이 차세대 메모리 제품 개발과 용인 클러스터 확보 등 본원적 경쟁력 강화로 삼았다. 그 결과 반도체 경기가 다시 회복되고 이 사장 특유의 기술 리더십이 진가를 발휘하면서 SK하이닉스가 제2의 반도체 전성기를 맞을 것으로 점쳐지고 있다.

실제로 SK하이닉스의 주가는 연초부터 가파른 오름세를 보이고 있다. 국내 수출 버팀목인 반도체 업황이 지난해 ‘바닥’을 찍고 올해부터 개선될 것이라는 전망이 잇따르면서 반도체 투톱 삼성전자와 함께 SK하이닉스 주가는 연일 상승세다. 지난 1월 9일 기준 SK하이닉스는 9만9000원에 장을 마감하며 이틀 연속 역대 신고가를 경신했다. 10만원 고지를 눈앞에 두고 증권가들은 일제히 목표주가를 상향조정했다.

실적 전망도 장밋빛이다. 이승우 유진투자증권 연구원은 “메모리 사이클 회복에 힘입어 올해 실적은 매출 31조4000억원, 영업이익 7조원으로 전년보다 각각 17%, 140% 증가할 것으로 기대된다”고 분석했다. 지정학적 리스크가 염려되긴 하지만, 실적 개선 폭이 가장 큰 섹터가 반도체라는 판단에는 변함이 없다는 게 증권가의 지배적 분석이다. 특히 삼성전자와 달리, 반도체 사업에 올인하고 있다는 점이 SK하이닉스의 실적 기대감을 더욱 키우고 있다.

증권가 “올해 영업익 140% 증가”

이 같은 낙관적 전망은 지난해 저점을 통과한 D램과 낸드 가격이 모두 회복될 것이라는 기대감에서다. SK하이닉스는 급성장하는 메모리 시장에 적극 대응한 결과 2017년 연 매출 30조1000억원, 영업이익 13조7000억원, 순이익 10조6000억원의 기념비적 실적을 달성했다. 2018년에도 매출 40조4000억원, 영업이익 20조8000억원을 기록해 2년 연속 사상 최대 실적을 경신했다.

기업가치도 큰 폭으로 뛰어 올랐다. SK그룹 편입 전인 2011년 초반에는 시가총액 약 16조원으로 전체 순위 13위에 머물렀지만, 반도체 호황기를 타고 국내 시가총액 순위 2위까지 고공점프했다.

그러나 2018년 4분기부터 시작된 반도체 불황으로 인해 실적이 악화됐다. 증권가는 SK하이닉스가 지난해 매출 26조8209억원, 영업이익 2조9269억원 기록했을 것으로 예상했다. 이는 호황기였던 2018년보다 각각 33%, 85% 줄어든 수치다. 호황기 한 때 장중 9만7700원으로 52주 신고가를 경신했던 주가 역시 5만원 대까지 밀리며 어두운 한 해를 보냈다.

이런 가운데 이석희 사장은 2018년 12월 SK하이닉스 사령탑에 올랐다. 이 사장은 96단 3D 낸드플래시, 10나노급 2세대 D램 개발 등 SK하이닉스의 기술 경쟁력을 끌어올린 주역으로 2018년 SK하이닉스가 사상 최대 실적을 내는데 기여해 CEO로 발탁됐다. 그간 이 사장은 미래기술연구원장, DRAM개발사업부문장, COO 등을 역임하며 반도체 기술 전문성과 리더십을 겸비해 SK하이닉스의 지속 가능한 경쟁력을 확보할 적임자라는 평가를 받았다.

승패 가르는 1등 경쟁력 ‘기술’ 올인

이 사장은 취임 첫 해인 2019년부터 반도체 불황이 본격화하면서 부담을 안고 출발했다. 그러나 지난해 12월 취임 1년을 맞아 반도체 불황과 불확실한 대외상황 속에서 환경 변화에 지혜롭고 효과적으로 대응했다는 평가를 받고 있다.

그는 취임 직후부터 ‘기술’에 올인했다. 대내외 환경이 급변하는 가운데 기술 경쟁력을 높이는 데 집중했다. 직원들에게도 한결같이 “경기가 어려워질수록 기술 개발에 힘써 품질 좋은 제품을 만들어야 한다”고 강조했다. 그래야 경기가 좋아졌을 때 보다 더 큰 힘을 발휘할 수 있다는 게 이 사장의 생각이다. 이런 노력들은 세계 최초 128단 1Tb TLC 4D 낸드플래시 개발, HBM2E D램 개발 등 괄목할 성과로 이어졌다.

SK하이닉스는 2018년 11월 1y D램 개발에 이어 11개월만인 지난해 10월 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16Gbit DDR4 D램도 개발했다. 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현, 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량도 현존하는 D램 중 가장 크다. 1y 제품 대비 생산성이 약 27% 향상됐으며, 초고가의 EUV(극자외선) 노광 공정 없이도 생산 가능해 원가 경쟁력도 갖췄다. 데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적으로 지원한다. 전력 효율도 대폭 높여 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량의 모듈보다 전력 소비를 약 40% 줄였다. 특히 3세대 제품은 이전 세대 생산 공정에는 사용하지 않던 신규 물질을 적용해 D램 동작의 핵심 요소인 정전용량을 극대화했다. 새로운 설계 기술을 도입해 동작 안정성도 높였다.

불황 속 HBM2E D램 개발 등 빛 발해

더불어 지난해 6월 세계 최초로 128단 1Tbit(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시를 개발하고 양산에 나섰다. 128단 낸드는 업계 최고 적층으로, 한 개 칩에 3bit(비트)를 저장하는 낸드 셀(Cell) 3600억개 이상이 집적된 1Tb 제품이다. 이번에 개발한 128단 1Tb 4D 낸드는 웨이퍼당 비트 생산성이 기존 96단 4D 낸드 대비 40% 향상됐다. 비트 생산성도 15% 이상 높다. SK하이닉스는 지난해 양산을 시작한 128단 4D 낸드플래시를 지난해 하반기부터 판매하기 시작했고 다양한 솔루션 제품도 연이어 출시할 계획이다.

SK하이닉스는 이러한 기술 경쟁력 강화와 함께 지속적인 성장기반 확보를 위해 적극적인 투자를 이어가고 있다. 2015년에는 이천에 반도체 공장(M14)을 준공한데 이어 2018년 10월에는 2조2000억원을 투자해 최첨단 반도체 공장(M15)을 충북 청주에 완공했다. 청주는 2018년부터 가동중인 M15의 생산능력 확대를 포함해 10년간 35조원 규모의 투자를 진행해 낸드 수요에 선제적으로 대응해 나갈 예정이다. 또한 후공정 물량 대응을 위해 2019년까지 중국 충칭 후공정 공장의 생산능력을 확충했다.

이에 더해 2020년 하반기까지 3조5000억원을 투자해 경기 이천에 신규 반도체 공장(M16)을 건설할 예정이다. 이 공장은 2018년 10월 준공된 M15 수준의 투자를 통해 EUV(Extreme Ultra Violet) 전용 공간 조성 후, 노광 공정에 EUV를 도입해 미세공정 한계 극복을 도모할 계획이다. EUV는 노광 공정(반도체 재료인 웨이퍼 위 회로가 새겨진 마스크에 광원을 투과해 미세공정을 구현하는 방식)에 사용되는 광원이다. EUV는 기존에 사용하던 광원인 불화아르곤보다 파장 길이가 14분의 1 미만이어서 더욱 세밀하게 반도체 회로 패턴을 구현할 수 있다. SK하이닉스는 2021년 초까지 EUV를 적용해 4세대 10나노급(1A) D램 개발을 진행할 계획이다. 2022년에는 5세대 10나노급(1B) D램 등 EUV를 적용한 D램 제품군을 확대해 나갈 예정이다.

SK하이닉스는 국가 산업 경쟁력 강화를 목적으로 반도체 클러스터 조성 사업에도 적극 나서고 있다. SK하이닉스는 이를 위해 10년간 총 1조 2200억원을 지원할 계획이다. 구체적으로는 상생펀드 조성에 3000억원, 인공지능(AI)을 기반으로 하는 상생협력센터 설립·상생프로그램 추진에 6380억원, 공동 R&D에 2800억원 등을 순차적으로 지원한다.

“고객 만족 품질과 가격으로 불확실성 돌파”

올해 반도체 시장 전망이 밝은 가운데서도 이 사장은 “원가경쟁력 확보가 최우선 과제”라며 긴장의 고삐를 늦추지 않고 있다. 지난 1월 신년사에서 이 사장은 “올해도 반도체업은 불확실성에 직면해 있다”면서 “무역 분쟁뿐만 아니라 신규 경쟁자 진입, 인터넷데이터센터(IDC) 시장 불안정 등 여러 요인이 복잡하게 얽혀 있다”고 설명했다. 이런 불확실성이 SK하이닉스가 대응해야 할 ‘뉴노멀(New Normal)’의 실체라고 피력하기도 했다.

이 사장은 시장의 불안을 극복할 수 있는 힘은 ‘가격’에 있다고 말했다. “올해 10나노급 3세대 D램과 128단 낸드플래시 기반 솔루션제품을 본격 생산하고 판매를 확대하는 한편, 생산성과 수율 향상을 비롯해 상시적인 경영자원관리로 원가를 획기적으로 개선하겠다”는 의지를 보인 것도 그 일환이다.

이어 고객 중심 사업을 추진해 시장 확대에 총력을 다할 것을 다짐했다. 이 사장은 “고객을 만족시키는 제품을 개발해 그 시장을 확대하는 것이 그간 강조해온 프로덕트·고객 중심 사업 체계로 진화하기 위한 첫 걸음”이라면서 “기술리더십은 기술 개발에 그치는 것이 아니라, 이 기술이 빠르게 양산으로 이어져 고객에게서 완성돼야 한다”고 힘줘 말했다. 그러면서 개발·양산·고객 대응 등 기획부터 판매에 이르기까지 가장 최적화된 시스템으로 전환하겠다고 덧붙였다.

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<이석희 사장>

1990~2000년 현대전자, 선임연구원

2000~2010년 Intel, Principal Engineer and Process Integration Group leader

2010~2013년 KAIST 전기 및 전자공학과, 부교수

2013년 SK하이닉스 미래기술연구원장(전무)

2015년 SK하이닉스 DRAM 개발사업부문장(부사장)

2017년 SK하이닉스 사업총괄(사장)

2018년 12월~ SK하이닉스 대표이사(現)

2019년 한국공학한림원 정회원