[인사이트코리아=이경원 기자] 삼성전자가 올해 불확실한 경영 환경 속에서도 반도체 투자를 늘리며 경제 버팀목 역할을 톡톡히 하고 있다. 이는 '반도체 비전 2030' 달성 의지와 더불어 언택트 수요 대응을 위한 적극적인 투자로 미래 시장기회를 선점하겠다는 전략이다.

19일 기업평가사이트 CEO스코어가 발표한 '대기업집단 상반기 투자액'에 따르면, 공정거래위원회 지정 64개 대기업집단의 상반기 투자액은 총 43조2910억원으로, 재계 1위 삼성이 전체 투자액을 견인했다. 

삼성은 올 상반기에만 15조2566억원을 투자했는데 이는 작년(9조2586억원)보다 64.8%(5조9980억원) 늘어난 수준이다. 투자액이 10조원을 넘는 그룹은 삼성 뿐이다.

개별기업으로는 삼성전자 투자액이 가장 많았다. 이는 삼성그룹 전체 투자액의 93.3%에 해당하는 것으로, 삼성전자의 투자 대부분은 반도체가 차지했다.

삼성전자는 지난해 4월 '반도체 비전2030' 발표 이후 공격적인 투자를 집행해 오고 있다.

이는 글로벌 메모리 반도체 시장에 이어 시스템 반도체 시장에서도 선두주자로 나서겠다는 '청사진'으로, 관련 연구개발(R&D)과 생산시설 확충에 총 133조원(R&D 73조원, 시설 60조원)을 투자하는 동시에 전문 인력 약 1만5000명을 채용하는 것을 골자로 한다.

이 계획에 따르면 삼성전자는 시스템 반도체에만 2030년까지 연평균 11조원의 투자를 집행하게 되는데, 지난해부터 올 연말까지 약 26조원을 투자할 예정이다.

업계에서는 최근 대내외 불확실성에도 불구하고 투자 속도가 매우 빠르다는 평가가 나온다.

반도체 라인 증설로 제품 차별화

코로나19로 촉발된 언택트(비대면) 열풍도 삼성전자의 반도체 투자를 더욱 가속화시키고 있다는 분석이 나온다.

삼성전자는 올해 상반기 코로나19로 비롯된 어려움 속에서도 데이터센터 중심의 서버 수요 증가에 선제적으로 대응한 결과, 전년 대비 매출과 이익 모두 성장했다.

삼성전자가 지난 14일 공시한 반기보고서에 따르면, 올해 상반기 반도체 시설 투자액은 14조7000억원이다. 이는 지난해 상반기 반도체 투자액(8조8000억원) 보다 두 배 가까이 늘어난 수준이다.

올해 상반기 메모리 반도체는 향후 수요 증가 대응을 위한 공정 전환과 증설용 설비 중심으로 투자가 이뤄졌다.

삼성전자는 지난 5월 평택캠퍼스 2라인에 낸드플래시 생산라인을 구축하는 투자를 단행했으며, 2021년 하반기 양산 예정이다.

2015년 조성된 평택캠퍼스는 삼성전자의 차세대 메모리 전초기지로서 세계 최대 규모의 생산라인 2개가 구축돼 있다. 지난 5월 투자로 증설된 라인에서는 삼성전자의 최첨단 6세대(1xx단) V낸드 제품이 양산될 예정이며, 포스트 코로나 시대 중장기 낸드 수요 확대에 대응한다는 계획이다.

시스템 반도체의 경우, 미세공정 수요 대응을 위한 5·8나노 증설을 중심으로 투자가 이뤄졌다.

특히 파운드리 사업에서는 올해 코로나19 영향에도 불구하고 5G 모바일과 데이터센터에 공급되는 14나노 이하 선단 공정에서 견조한 수요가 유지되고 있다.

이에 삼성전자는 지난 5월 평택에 파운드리 신규 라인을 구축하며 EUV(Extreme Ultra Violet, 극자외선) 기반 최첨단 제품 수요 증가에 대응하고 있다.

삼성전자는 2019년 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 양산을 시작한 이후, 2020년 2월 V1 라인을 통해 초미세 공정 생산 규모를 지속 확대해 왔다. 여기에 2021년 평택 라인이 가동되면 7나노 이하 초미세 공정 기반 제품의 생산 규모는 더욱 가파르게 증가할 전망이다.

하반기에도 디지털 전환 가속화에 따른 반도체 수요가 증가할 것으로 전망되면서, 삼성전자는 적극적인 투자로 미래 시장기회를 선점해 나간다는 전략이다.